Fabricante: Infineon
Categoria de produto: Módulos IGBT
Produto: IGBT Silicon Modules
Configuração: Dual
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 600 V
Tensão de saturação do coletor - emissor: 1.95 V
Corrente contínua do coletor a 25ºC: 230 A
Corrente de dispersão do gate - emissor: 400 nA
Pd - Dissipação de potência: 445 W
Caixa / Gabinete: 32 mm
Temperatura operacional mínima: - 40 C
Temperatura operacional máxima: + 125 C
Embalagem: Tray
Marca: Infineon Technologies
Altura: 30.5 mm
Comprimento: 94 mm
Tensão do emissor do gate máxima: 20 V
Estilo de montagem: Chassis Mount
Tipo de Produto: IGBT Modules
Subcategoria: IGBTs
Tecnologia: Si
Largura: 34 mm
Aliases de núm de peça: SP000100475 BSM200GB60DLCHOSA1
Peso unitário: 160 g
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