01 - Módulo IGBT IXDN75N120 transistor individual; 1,2kV 150A 660W
Fabricante IXYS
Modulo: IXDN75N120
Tipo de módulo: IGBT
Estrutura do semicondutor transistor individual
Tensão de retorno máx.: 1.200V / 1.2kV
Corrente de coletor (Ic): 150A
Carcaça: SOT227B
Montagem eléctrico: com Parafusos
Montagem: com Parafusos
Tensão de entrada no emissor: ±20V
Corrente de coletor em impulso: 190A
Potência dissipada: 660W
Tecnologia: NPT
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